发明名称 |
离子加速装置、用于离子植入系统之离子加速装置以及保护离子加速装置不受由于在高电压环境中连接至套管单元引起之高电压故障的方法 |
摘要 |
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申请公布号 |
TWI437606 |
申请公布日期 |
2014.05.11 |
申请号 |
TW097110536 |
申请日期 |
2008.03.25 |
申请人 |
瓦里安半导体设备公司 美国 |
发明人 |
泰克雷特萨迪克 卡森D. TEKLETSADIK, KASEGN D. US |
分类号 |
H01J37/147;H01J37/317;H01L21/265 |
主分类号 |
H01J37/147 |
代理机构 |
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代理人 |
詹铭文 台北市中正区罗斯福路2段100号7楼之1;萧锡清 台北市中正区罗斯福路2段100号7楼之1 |
主权项 |
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地址 |
美国 |