| 摘要 |
<p>본 발명은 (A) 유기 술폰산 화합물, (B) 하이드록시카르복시산 화합물, (C) 다가알코올 및 (D) 물을 포함하는 포토레지스트 잔류물 제거용 박리액 조성물 및 이를 이용하는 박리 방법에 관한 것이다. 본 발명에 의해, 반도체소자 및 평판표시소자 등의 제조공정에 있어서, 에싱 공정 중 발생할 수 있는 경화 및/또는 변질된 포토레지스트를 포함하는 포토레지스트 잔류물을, 배치 방식 또는 매엽 방식의, 침적법 또는 분무법으로 용이하게 제거할 수 있을 뿐만 아니라, 박리액 조성물에 노출되는 하부의 금속막 및 절연막에 대한 부식 또한 방지할 수 있는 포토레지스트 잔류물 제거용 박리액 조성물 및 이를 이용한 박리 방법이 제공된다.</p> |
