Siliziumkarbidsubstrat, Halbleitervorrichtung und Verfahren zum Herstellen derselben

摘要

Ein Siliziumkarbidsubstrat (1), das in der Lage ist, einen On-Widerstand zu verringern und einen Gewinn von Halbleitervorrichtungen zu verbessern, besteht aus einem Einkristall-Siliziumkarbid, wobei Schwefelatome in einer Hauptoberfläche (1A) mit einem Anteil von nicht weniger als 60 × 1010 Atomen/cm2 und nicht mehr als 2.000 × 1010 Atomen/cm2 vorhanden sind und Sauerstoffatome in der einen Hauptoberfläche (1A) mit einem Anteil von nicht weniger als 3 Atom-% und nicht mehr als 30 Atom-% vorhanden sind.