| 发明名称 | 半导体结构与降低半导体结构中信号干扰的方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供了一种半导体结构，包含一基底、一第一硅贯穿电极、一电感结构以及一电容结构。第一硅贯穿电极设置在基底中，且具有一第一信号。电感结构设置在基底中。电容结构与电感结构电性相连，并与电感结构形成一LC电路以阻隔第一信号的干扰。本发明还提供了一种降低半导体结构中信号干扰的方法。 | ||
| 申请公布号 | CN103779317A | 申请公布日期 | 2014.05.07 |
| 申请号 | CN201210413876.X | 申请日期 | 2012.10.25 |
| 申请人 | 联华电子股份有限公司 | 发明人 | 李宗霖;吴浚昌;曾誌裕 |
| 分类号 | H01L23/522(2006.01)I;H01L23/64(2006.01)I;H01L21/60(2006.01)I;H01L21/50(2006.01)I | 主分类号 | H01L23/522(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人 | 史新宏 |
| 主权项 | 一种半导体结构，包含：一基底；一第一硅贯穿电极，设置在该基底中，该第一硅贯穿电极具有一第一信号；一电感结构设置在该基底中；以及一电容结构与该电感结构电性相连，该电容结构与该电感结构形成一LC电路以阻隔该第一信号的干扰。 | ||
| 地址 | 中国台湾新竹科学工业园区 | ||