半导体装置

摘要

本发明提供一种半导体装置，所述半导体装置包括：第一导电型的半导体层，其由SiC构成，且表面为Si面；从所述半导体层的表面挖下的栅极沟槽；栅极绝缘膜，其形成于所述栅极沟槽的底面及侧面上，所述底面上的部分的厚度与所述侧面上的部分的厚度之比为0.3～1.0；栅电极，其经由所述栅极绝缘膜埋设于所述栅极沟槽。

主权项

一种半导体装置，其中，包括：半导体层，其具有表面且由SiC构成；源极区域，其形成于所述半导体层，且形成所述半导体层的所述表面；基体区域，其形成于所述半导体层，且从所述半导体层的背面侧与所述源极区域相接；漏极区域，其形成于所述半导体层，且从所述半导体层的所述背面侧与所述基体区域相接；栅极沟槽，其从所述半导体层的所述表面挖下而贯通所述源极区域及所述基体区域，且其最深部到达所述漏极区域；栅极绝缘膜，其形成于所述栅极沟槽的内面上，包括在所述栅极沟槽的底面配置的底部和在所述栅极沟槽的侧面配置的侧部，所述底部和所述侧部的厚度相互不同；栅电极，其经由所述栅极绝缘膜而埋设于所述栅极沟槽；源极配线，其以与所述源极区域相接的方式形成于所述半导体层上，具有包括所述半导体层上的第一源极层和所述第一源极层上的第二源极层的层叠构造，所述第一源极层和所述第二源极层由相互不同的导电性物质构成；漏极配线，其以与所述漏极区域相接的方式形成于所述半导体层上，具有包括所述半导体层上的第一漏极层和所述第一漏极层上的第二漏极层的层叠构造，所述第一漏极层和所述第二漏极层由相互不同的导电性物质构成。