发明名称 METHOD OF PRODUCING SILICON CARBIDE MONOCRYSTALS
摘要 <p>본 발명의 탄화 규소 단결정의 제조 방법은 다이 시트에 배치된 탄화 규소 종결정에 탄화 규소 원료의 승화 가스를 공급함으로써, 상기 탄화 규소 종결정 상에 탄화 규소의 단결정을 성장시키는 공정을 갖고, 상기 다이 시트와 상기 탄화 규소 종결정 사이에 탄화 규소로 이루어지는 이격 부재를 배치하고, 상기 이격 부재를 상기 다이 시트에 비접착으로 지지 부재에 의해 보유 지지하고, 상기 이격 부재에서의 상기 다이 시트와 반대 측의 면에 상기 탄화 규소 종결정을 접착하고, 상기 이격 부재와 상기 탄화 규소 종결정의 접착면이 상기 지지 부재의 최하 위치로부터 연직 방향으로 5㎜ 이상 이격하도록, 상기 이격 부재와 상기 지지 부재를 상대적으로 배치한다.</p>
申请公布号 KR101392639(B1) 申请公布日期 2014.05.07
申请号 KR20127015366 申请日期 2010.10.18
申请人 发明人
分类号 C30B23/02;C30B29/36;H01L21/205 主分类号 C30B23/02
代理机构 代理人
主权项
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