| 发明名称 | 成膜装置 | ||
| 摘要 | 该成膜装置(1)，包括：腔室(2)，具有内部空间和侧壁，在所述内部空间中，以欲形成覆膜(L)的被处理体(W)与具有溅射面(3a)的靶(3)相对置的方式配置有所述被处理体(W)和所述靶(3)这两者；排气部(12)，对所述腔室(2)内进行减压；第一磁场产生部(4)，在露出所述溅射面(3a)的所述内部空间中产生磁场；直流电源(9)，向所述靶(3)施加负的直流电压；气体导入部(11)，向所述腔室(2)内导入溅射气体；第二磁场产生部(13)，配置在靠近所述靶(3)的位置，产生磁场使垂直的磁力线在与所述靶(3)相邻的位置上通过；以及第三磁场产生部(18)，配置在靠近所述被处理体(W)的位置，产生磁场以将所述磁力线向所述腔室(2)的所述侧壁诱导。 | ||
| 申请公布号 | CN102471879B | 申请公布日期 | 2014.05.07 |
| 申请号 | CN201080026409.0 | 申请日期 | 2010.07.15 |
| 申请人 | 株式会社爱发科 | 发明人 | 小平周司;吉浜知之;镰田恒吉;堀田和正;滨口纯一;中西茂雄;丰田聪 |
| 分类号 | C23C14/35(2006.01)I;H01L21/285(2006.01)I;H05H1/24(2006.01)I | 主分类号 | C23C14/35(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京德琦知识产权代理有限公司 11018 | 代理人 | 杨晶;王琦 |
| 主权项 | 一种成膜装置，其特征在于，包括：腔室，具有内部空间和侧壁，在所述内部空间中，以欲形成覆膜的被处理体与具有溅射面的靶相对置的方式配置有所述被处理体和所述靶这两者；排气部，对所述腔室内进行减压；第一磁场产生部，在露出所述溅射面的所述内部空间中产生磁场；直流电源，向所述靶施加负的直流电压；气体导入部，向所述腔室内导入溅射气体；第二磁场产生部，设置在具有所述内部空间的所述腔室的外侧壁，配置在靠近所述靶的位置，产生磁场而使垂直的磁力线在与所述靶相邻的位置上通过；以及第三磁场产生部，设置在具有所述内部空间的所述腔室的外侧壁，配置在靠近所述被处理体的位置，产生磁场以将所述垂直的磁力线从所述腔室的中央向所述腔室的所述侧壁诱导，所述垂直的磁力线以朝向所述腔室的所述侧壁的方式偏离。 | ||
| 地址 | 日本神奈川县 | ||