| 发明名称 | CMOS制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种CMOS制造方法，包括；在衬底上NMOS区域和PMOS区域形成栅极堆叠结构；在栅极堆叠结构周围形成栅极侧墙；选择性刻蚀PMOS区域衬底，在栅极侧墙两侧形成源漏沟槽；在源漏沟槽中形成第一源漏抬升区；在衬底上NMOS区域和PMOS区域形成盖层。依照本发明的CMOS制造方法，先选择性刻蚀、外延生长PMOS抬升源漏，后全局选择性外延生长NMOS抬升源漏，减少了工艺步骤，降低了成本，提高了器件的可靠性。 | ||
| 申请公布号 | CN103779276A | 申请公布日期 | 2014.05.07 |
| 申请号 | CN201210395581.4 | 申请日期 | 2012.10.17 |
| 申请人 | 中国科学院微电子研究所 | 发明人 | 殷华湘;闫江;陈大鹏 |
| 分类号 | H01L21/8238(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/8238(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京蓝智辉煌知识产权代理事务所(普通合伙) 11345 | 代理人 | 陈红 |
| 主权项 | 一种CMOS制造方法，包括：在衬底上NMOS区域和PMOS区域形成栅极堆叠结构；在栅极堆叠结构周围形成栅极侧墙；选择性刻蚀PMOS区域衬底，在栅极侧墙两侧形成源漏沟槽；在源漏沟槽中形成第一源漏抬升区；在衬底上NMOS区域和PMOS区域形成盖层。 | ||
| 地址 | 100029 北京市朝阳区北土城西路3# | ||