发明名称 软启动控制器
摘要 一种软启动控制器,包括:一输入端,所述输入端电学连接至芯片的基准电压源;一非门,所述非门的输入端电学连接至所述软启动控制器的输入端;一场效应晶体管,所述场效应晶体管的栅极电学连接至所述非门的输出端,漏极/源极电学连接至软启动控制器的工作电压源,源极/漏极电学连接至所述软启动控制器的输出端;一限流单元,所述限流单元连接一电流镜像单元,电流镜像单元通过所述限流单元控制非门及场效应晶体管的电流。
申请公布号 CN102566648B 申请公布日期 2014.05.07
申请号 CN201110444975.X 申请日期 2011.12.28
申请人 中国科学院上海高等研究院 发明人 汪宁;章琦;汪辉
分类号 G05F3/26(2006.01)I 主分类号 G05F3/26(2006.01)I
代理机构 上海翼胜专利商标事务所(普通合伙) 31218 代理人 孙佳胤;翟羽
主权项 一种软启动控制器,包括: 一输入端,所述输入端电学连接至芯片的基准电压源; 一非门,所述非门的输入端电学连接至所述软启动控制器的输入端; 一场效应晶体管,所述场效应晶体管的栅极电学连接至所述非门的输出端,漏极/源极电学连接至软启动控制器的工作电压源,源极/漏极电学连接至所述软启动控制器的输出端;一限流单元,所述限流单元连接一电流镜像单元,电流镜像单元通过所述限流单元控制非门及场效应晶体管的电流;其特征在于,进一步包括一第一电流源和一第二电流源,所述第一电流源的输出端电学连接至所述非门,为所述非门提供偏置电流,输入端电学连接至软启动控制器的工作电压源,所述场效应晶体管的漏极/源极通过所述第二电流源电学连接至软启动控制器的工作电压源。
地址 201210 上海市浦东新区海科路99号