发明名称 |
氯化盐诱导可控制备特定晶相过渡金属硅化物材料的方法 |
摘要 |
一种氯化盐诱导可控制备特定晶相过渡金属硅化物材料的方法,是将浸渍有氯化钡或氯化钙和铁、铜、钴或镍的活性碳或氧化硅前体载体置于石英管反应器中,先用高纯氢气H<sub>2</sub>处理金属使其在500摄氏度完全还原后,再将摩尔比为1:6-8的SiCl<sub>4</sub>与H<sub>2</sub>的混合气,在体积空速为5000-20000/每分钟、压力为0.1-1.0MPa条件下切入反应器,控制温度500-900摄氏度范围内,反应3-8小时,制备出过渡金属硅化物。由本发明制备的过渡金属硅化物可望为特定晶相过渡金属硅化物的相关研究和应用提供支持。 |
申请公布号 |
CN103771420A |
申请公布日期 |
2014.05.07 |
申请号 |
CN201410014412.0 |
申请日期 |
2014.01.14 |
申请人 |
南昌大学 |
发明人 |
赵丹;王冰;邓圣军;肖卫明;陈超;张宁 |
分类号 |
C01B33/06(2006.01)I |
主分类号 |
C01B33/06(2006.01)I |
代理机构 |
南昌市平凡知识产权代理事务所 36122 |
代理人 |
夏材祥 |
主权项 |
一种氯化盐诱导可控制备特定晶相过渡金属硅化物材料的方法,其特征是:(1)各组分按重量百分比为:前体载体:活性碳即C或氧化硅即SiO<sub>2</sub> 94.5‑82.0% 前体金属:铁Fe、铜Cu、钴Co或镍Ni 5.0‑15.0%诱导剂: 氯化钡BaCl<sub>2</sub>或氯化钙CaCl<sub>2</sub> 0.5‑3.0%(2)制备步骤:将浸渍有氯化钡或氯化钙和铁、铜、钴或镍的活性碳或氧化硅前体载体置于石英管反应器中,先用高纯氢气H<sub>2</sub>处理金属使其在500摄氏度完全还原后,再将摩尔比为1:6‑8的SiCl<sub>4</sub>与H<sub>2</sub>的混合气,在体积空速为5000‑20000/每分钟、压力为0.1‑1.0 MPa条件下切入反应器,控制温度500‑900摄氏度范围内,反应3‑8小时,制备出过渡金属硅化物。 |
地址 |
330031 江西省南昌市红谷滩新区学府大道999号 |