| 发明名称 | 高电阻薄膜电阻器及形成所述电阻器的方法 | ||
| 摘要 | 本申请案涉及高电阻薄膜电阻器及形成所述电阻器的方法。通过形成薄膜电阻器(850)以给一个或一个以上非导电沟槽(814/1426/1720)加衬来实质上增加所述薄膜电阻器(850)的电阻。通过给所述一个或一个以上非导电沟槽(814/1426/1720)加衬，增加了所述电阻器(850)的总长度，同时仍耗用与常规电阻器大致相同的表面积。 | ||
| 申请公布号 | CN103779335A | 申请公布日期 | 2014.05.07 |
| 申请号 | CN201310492094.4 | 申请日期 | 2013.10.18 |
| 申请人 | 德州仪器公司 | 发明人 | 拜伦·洛弗尔·威廉斯;约翰·布里顿·罗宾斯 |
| 分类号 | H01L23/64(2006.01)I;H01L21/02(2006.01)I | 主分类号 | H01L23/64(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人 | 林斯凯 |
| 主权项 | 一种电阻器，其包括：主体，其具有：非导电顶表面，及一个或一个以上沟槽，每一沟槽从所述非导电顶表面向下延伸到所述主体中，所述一个或一个以上沟槽中的每一者具有非导电内表面；及薄膜电阻器结构，其：触及所述非导电顶表面的第一部分及所述一个或一个以上沟槽中的每一者的所述内表面的第一部分；及暴露所述非导电顶表面的第二部分。 | ||
| 地址 | 美国德克萨斯州 | ||