发明名称 制作掩膜版的方法、对布局图形进行光学邻近修正方法
摘要 一种制作掩膜版的方法、对布局图形进行光学邻近修正方法,制作掩膜版的方法包括:提供布局图形;将布局图形分割成第一布局图形和第二布局图形;在所述第一布局图形的切割位置形成第一延伸段;在第二布局图形的切割位置形成第二延伸段;执行对第一布局图形和第一延伸段的光学邻近修正,获得第一修正图形,第一修正图形在图形化仿真后包围第二延伸段所在区域;执行对第二布局图形和第二延伸段的光学邻近修正,获得第二修正图形,第二修正图形在图形化仿真后包围第一延伸段所在区域;将第一修正图形写入第一掩膜版;将第二修正图形写入第二掩膜版。图形化时在叠加位置处,图形的宽度和目标宽度相等,至少图形宽度与图形目标宽度之间的差距缩小。
申请公布号 CN102262352B 申请公布日期 2014.05.07
申请号 CN201010192865.4 申请日期 2010.05.27
申请人 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司 发明人 杨青
分类号 G03F1/36(2012.01)I 主分类号 G03F1/36(2012.01)I
代理机构 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 代理人 骆苏华
主权项 一种制作掩膜版的方法,其特征在于,包括:提供布局图形;将所述布局图形分割成第一布局图形和第二布局图形;在所述第一布局图形的切割位置形成第一延伸段;在所述第二布局图形的切割位置形成第二延伸段;执行对第一布局图形和第一延伸段的光学邻近修正,获得第一修正图形,所述第一修正图形在图形化仿真后包围第二延伸段所在区域;执行对第二布局图形和第二延伸段的光学邻近修正,获得第二修正图形,所述第二修正图形在图形化仿真后包围第一延伸段所在区域;将第一修正图形写入第一掩膜版;将第二修正图形写入第二掩膜版;其中,执行对第一布局图形和第一延伸段的光学邻近修正包括:步骤S11,对第一布局图形和第一延伸段进行图形化仿真,获得仿真图形;步骤S12,计算仿真图形与第一布局图形的第一边缘布置误差,以及仿真图形与第二延伸段重叠区域的第二边缘布置误差;步骤S13,根据计算得到的第一、第二边缘布置误差,对第一布局图形和第一延伸段进行光学邻近修正,得到修正后图形;步骤S14,对修正后图形进行图形化仿真,获得仿真图形;步骤S15,判断步骤S14中获得的仿真图形是否包围第二延伸段所在区域,若是,将修正后图形作为第一修正图形;若否,返回执行步骤S12;执行对第二布局图形和第二延伸段的光学邻近修正包括:步骤S21,对第二布局图形和第二延伸段进行图形化仿真,获得仿真图形;步骤S22,计算仿真图形与第二布局图形的第三边缘布置误差,以及仿真图形与第一延伸段重叠区域的第四边缘布置误差;步骤S23,根据计算得到的第三、第四边缘布置误差,对第二布局图形和第二延伸段进行光学邻近修正,得到修正后图形;步骤S24,对修正后图形进行图形化仿真,获得仿真图形;步骤S25,判断步骤S24中获得的仿真图形是否包围第一延伸段所在区域,若是,将修正后图形作为第二修正图形;若否,返回执行步骤S22。
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