发明名称 |
提供绝热耦合的聚合物波导阵列和硅波导阵列的对准 |
摘要 |
一种提供绝热耦合的聚合物波导阵列和硅波导阵列的对准。对准形成在聚合物上的(单模)聚合物波导(PWG)阵列与形成在硅(Si)芯片上的硅波导(SiWG)阵列。并且因此实现绝热耦合。使高精度形成的端头和高精度形成的凹槽用作绝对的定位基准以提供根据凹槽和端头的自对准。在通过光刻图案化的PWG中,采用多个掩模,但是沿着对准基线(用于掩模)进行形成,并且因此相对于误差δx实现高精度。在通过纳米压印图案化的PWG中,也相对于误差δx和δy实现形成上的高精度。 |
申请公布号 |
CN103777275A |
申请公布日期 |
2014.05.07 |
申请号 |
CN201310489341.5 |
申请日期 |
2013.10.18 |
申请人 |
国际商业机器公司 |
发明人 |
沼田英俊 |
分类号 |
G02B6/24(2006.01)I;G02B6/13(2006.01)I |
主分类号 |
G02B6/24(2006.01)I |
代理机构 |
北京市柳沈律师事务所 11105 |
代理人 |
邱军 |
主权项 |
一种包括形成在聚合物上的端头和形成在硅(Si)芯片上的凹槽的结构,通过对准形成在该聚合物上的聚合物波导(PWG)阵列与形成在该硅芯片上的硅波导(SiWG)阵列,可用该结构实现绝热耦合,其中形成在该聚合物上的该端头沿着形成该PWG阵列的方向形成,并且其中形成在该聚合物上的该端头采用第二掩模形成,该第二掩模沿着与形成该PWG阵列的光刻工艺中采用的第一掩模相同的对准基线设置,该第二掩模具有与第一掩模不同的曝光图案,并且其中形成在该硅芯片上的该凹槽沿着形成该SiWG阵列的方向形成。 |
地址 |
美国纽约阿芒克 |