发明名称 Multi-Level Memory Device And Method Of Operating The Same
摘要 <p>본 발명은 다중 레벨 메모리 장치 및 그 동작 방법을 제공한다. 이 장치는 그 최대값보다 그 최소값 근방에서 더 높은 저항 레벨의 분포 밀도를 갖는 메모리 구조체를 포함한다.</p>
申请公布号 KR101390340(B1) 申请公布日期 2014.05.07
申请号 KR20070092219 申请日期 2007.09.11
申请人 发明人
分类号 G11C13/02 主分类号 G11C13/02
代理机构 代理人
主权项
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