| 摘要 |
<p>본 발명은 질화물 발광 다이오드 제조방법에 관한 것으로서, [110] 또는 [100] 결정방향을 가지는 Si 기판을 이용하여 기판 표면에 요철구조를 형성하고, 형성된 요철구조의 표면이 [111] 결정방향을 가지도록 함으로써, 우수한 GaN 박막 성장이 가능할 뿐만 아니라, 추가적인 구조가 없어도 스트레인(strain)을 스스로 제어할 수 있는 고출력의 질화물 발광 다이오드 제조방법을 제공함에 그 목적이 있다. 이러한 목적을 달성하기 위한 본 발명은, (a) [110] 결정방향을 가지는 Si 기판 상부에 마스크를 증착하는 단계; (b) 포토레지스트 패터닝 및 건식 식각을 수행하여 상기 기판에 마스크 패턴을 형성하는 단계; (c) 상기 기판을 이방성 습식 식각하여, 측면이 [111] 결정방향을 가지는 요철구조를 형성시키는 단계; (d) 상기 요철구조(30)의 표면과 기판의 상면에 AIN 버퍼층을 성장시키는 단계; (e) 상기 요철구조의 측면방향([111] 결정방향)에서 초기 GaN 박막을 성장시키는 단계; 및 (f) 성장된 GaN 박막이 서로 머징(merging)될 경우, 측면방향으로의 성장을 억제시키고, 수직방향으로 GaN 박막을 성장시키는 GaN 박막 평탄화 성장을 수행하는 단계; 를 포함한다.</p> |
