| 发明名称 | 一种鳍片型场效应晶体管及其制作方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供一种鳍片型场效应晶体管（FinFET）及其制作方法，所述方法包括：提供半导体衬底；在所述衬底上形成鳍片，所述鳍片形状为梯形；在所述鳍片的具有较长底边的第一侧与具有较短底边的第二侧之间形成栅极；在所述鳍片的所述第一侧上形成源区，在所述鳍片的所述第二侧上形成漏区。本发明提供了一种简化的工艺来制作非对称负交叠FinFET器件，达到减小栅漏电容的目的。同时采用自由基氧化工艺来制作栅极，可以改善器件的线宽粗糙度。 | ||
| 申请公布号 | CN103779217A | 申请公布日期 | 2014.05.07 |
| 申请号 | CN201210399317.8 | 申请日期 | 2012.10.18 |
| 申请人 | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 | 发明人 | 张海洋;张城龙 |
| 分类号 | H01L21/336(2006.01)I;H01L29/78(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/336(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京市磐华律师事务所 11336 | 代理人 | 董巍;高伟 |
| 主权项 | 一种鳍片型场效应晶体管的制作方法，包括：提供半导体衬底；在所述衬底上形成鳍片，所述鳍片形状为梯形；在所述鳍片的具有较长底边的第一侧与具有较短底边的第二侧之间形成栅极；在所述鳍片的所述第一侧上形成源区，在所述鳍片的所述第二侧上形成漏区。 | ||
| 地址 | 201203 上海市浦东新区张江路18号 | ||