| 发明名称 | 可挠式电子装置及其制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供了一种可挠式电子装置及其制造方法。该可挠式电子装置包括一第一可挠式衬底、一电子元件、一第一接口层以及一第一阻障(barrier)层。第一接口层的材质包括一或多种金属元素及一或多种无机金属氧化物的组合。电子元件设置于第一可挠式衬底上，第一接口层形成于电子元件上，第一阻障层形成于第一界面层上。 | ||
| 申请公布号 | CN103779379A | 申请公布日期 | 2014.05.07 |
| 申请号 | CN201210489100.6 | 申请日期 | 2012.11.27 |
| 申请人 | 财团法人工业技术研究院 | 发明人 | 施秉彝;彭依濠 |
| 分类号 | H01L27/32(2006.01)I;H01L51/52(2006.01)I;H01L51/56(2006.01)I | 主分类号 | H01L27/32(2006.01)I |
| 代理机构 | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人 | 曹玲柱 |
| 主权项 | 一种可挠式电子装置，其特征在于，包括：一第一可挠式衬底；一电子元件设置于该第一可挠式衬底上；一第一接口层形成于该电子元件上，其中该第一接口层的材质包括一或多种金属元素及一或多种无机金属氧化物的组合；以及一第一阻障层形成于该第一界面层上。 | ||
| 地址 | 中国台湾新竹县 | ||