| 发明名称 | 发火用半导体桥 | ||
| 摘要 | 本实用新型公开了一种发火用半导体桥，它包括衬底、沉积在衬底上的绝缘层、沉积在绝缘层上的半导体层和沉积在半导体层上的金属层，所述的金属层上沉积有第一电极和第二电极，所述的金属层上还沉积有发火物质。其优点是：控制精度高，且可多次重复利用。 | ||
| 申请公布号 | CN203572337U | 申请公布日期 | 2014.04.30 |
| 申请号 | CN201320654913.6 | 申请日期 | 2013.10.23 |
| 申请人 | 成都市宏山科技有限公司 | 发明人 | 黄友华 |
| 分类号 | F42B3/13(2006.01)I | 主分类号 | F42B3/13(2006.01)I |
| 代理机构 | 代理人 | ||
| 主权项 | 发火用半导体桥，其特征在于：它包括衬底（1）、沉积在衬底（1）上的绝缘层（2）、沉积在绝缘层（2）上的半导体层（3）和沉积在半导体层（3）上的金属层（4），所述的金属层（4）上沉积有第一电极（5）和第二电极（6），所述的金属层（4）上还沉积有发火物质（7）。 | ||
| 地址 | 610000 四川省成都市高新区永丰路20号附2号1层 | ||