一种碳化硅外延生长反应室

摘要

本实用新型提出了一种碳化硅外延生长反应室，包括顶盖和反应室，所述顶盖包括外盖、上顶盖、下顶盖、锁扣和第一测温系统，所述上顶盖和所述下顶盖通过所述锁扣固定在所述外盖上，所述反应室包括第二测温系统、一个大盘基座和若干个小盘基座，所述小盘基座设于所述大盘基座上，所述第二测温系统的测温点设于所述大盘基座底部，所述第一测温系统的测温点设在所述小盘基座上，所述顶盖上设有测温孔，所述测温孔位于所述小盘基座上方，所述测温孔贯穿所述外盖、所述上顶盖和所述下顶盖。本实用新型能够对碳化硅外延生长反应室中的碳化硅晶片温度进行直接测量，对碳化硅晶片温度分布情况进行在位监测。

主权项

一种碳化硅外延生长反应室，包括顶盖和反应室，所述顶盖包括外盖、上顶盖、下顶盖、锁扣和第一测温系统，所述上顶盖和所述下顶盖通过所述锁扣固定在所述外盖上，所述反应室包括第二测温系统、一个大盘基座和若干个小盘基座，所述小盘基座设于所述大盘基座上，所述第二测温系统的测温点设于所述大盘基座底部，其特征在于，所述第一测温系统的测温点设在所述小盘基座上，所述顶盖上设有测温孔，所述测温孔位于所述小盘基座上方，所述测温孔贯穿所述外盖、所述上顶盖和所述下顶盖。