发明名称 Hi-B取向硅钢磁感应强度的测量方法
摘要 本发明公开了一种Hi-B取向硅钢磁感应强度的测量方法,步骤如下:1)切取Hi-B取向硅钢试样,在试样上标示出晶界线,并编号;2)将试样拍摄成照片,测量出照片中每个编号晶粒的面积S<sub>n</sub>和照片中整个试样的面积S<sub>z</sub>;3)测量出编号晶粒的取向&lt;uvw&gt;,计算m值;4)查得标样的B<sub>001</sub>,计算出每个编号晶粒的B<sub>uvw</sub>;5)将每个编号晶粒的面积S<sub>n</sub>除以整个试样的面积S<sub>z</sub>所得值S<sub>i</sub>作为权重,再分别乘以相应晶粒的B<sub>uvw</sub>,记为B<sub>i</sub>,所有编号晶粒的B<sub>i</sub>之和,即为该试样的磁感应强度B。用本发明所测量的磁感应强度是由整个试样的织构信息所决定,更具有合理性和科学性,为Hi-B取向硅钢的研究提供理论依据。
申请公布号 CN102608551B 申请公布日期 2014.04.30
申请号 CN201210099417.9 申请日期 2012.04.06
申请人 武汉钢铁(集团)公司 发明人 周顺兵;韩荣东;王志奋;吴立新;陈士华;孙宜强;欧阳珉路;黄海娥
分类号 G01R33/12(2006.01)I 主分类号 G01R33/12(2006.01)I
代理机构 武汉开元知识产权代理有限公司 42104 代理人 胡镇西
主权项 一种Hi‑B取向硅钢磁感应强度的测量方法,包括以下步骤:1)切取Hi‑B取向硅钢试样,在试样上标示出晶界线,并将由晶界线所围成的各个晶粒进行编号,编为1、2……n;2)将试样拍摄成照片,采用图像分析仪测量出照片中每个编号晶粒的面积S<sub>n</sub>,其中n=1、2……n,同时测量出照片中整个试样的面积S<sub>z</sub>;3)采用电子背散射衍射分别测量出编号晶粒的沿轧制方向的取向&lt;uvw&gt;,再由公式m=α<sup>2</sup>β<sup>2</sup>+β<sup>2</sup>γ<sup>2</sup>+γ<sup>2</sup>α<sup>2</sup>计算出编号晶粒的&lt;uvw&gt;方向的m值,公式中的α、β和γ分别是该&lt;uvw&gt;方向与三个主晶轴&lt;001&gt;的方向余弦;4)查得标样的B<sub>001</sub>,并由公式B<sub>uvw</sub>=B<sub>001</sub>(1‑m)计算出每个编号晶粒的B<sub>uvw</sub>;5)将所测量的每个编号晶粒的面积S<sub>n</sub>除以整个试样的面积S<sub>z</sub>所得值S<sub>i</sub>作为权重,再分别乘以相应晶粒的B<sub>uvw</sub>,其值为该晶粒对整个试样的磁感应强度贡献,记为B<sub>i</sub>=S<sub>i</sub>×B<sub>uvw</sub>,所有编号晶粒的B<sub>i</sub>之和,即为该试样的磁感应强度B。
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