| 发明名称 | Ni纳米线、NiO/Ni自支撑膜及其制备方法和应用 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种Ni纳米线、NiO/Ni自支撑膜及其制备方法和应用。所述Ni纳米线为平均长度50,000至200,000nm的超长纳米线；其制备方法为：首先配置Ni纳米线液相生长液；然后在外加磁场下制备Ni纳米线单质；最后分离纯化Ni纳米线。所述NiO/Ni自支撑膜包括所述Ni纳米线及其煅烧制得的表面为NiO的Ni纳米线；其制备方法为：首先将所述Ni纳米线分散在表面活性剂溶液中；然后抽滤将Ni纳米线转移到微孔滤膜上，制得Ni自支撑膜；最后将Ni自支撑膜含氧气氛下煅烧得到NiO/Ni自支撑膜。本发明提供的NiO/Ni自支撑膜，柔韧性和电化学性能良好，能作为超级电容活性材料，成本低，工艺简单。 | ||
| 申请公布号 | CN103762356A | 申请公布日期 | 2014.04.30 |
| 申请号 | CN201310740240.0 | 申请日期 | 2013.12.27 |
| 申请人 | 华中科技大学 | 发明人 | 高义华;刘逆霜;马文真;李建 |
| 分类号 | H01M4/52(2010.01)I;C01G53/04(2006.01)I;B82Y30/00(2011.01)I;B82Y40/00(2011.01)I | 主分类号 | H01M4/52(2010.01)I |
| 代理机构 | 华中科技大学专利中心 42201 | 代理人 | 朱仁玲 |
| 主权项 | 一种Ni纳米线，其特征在于，所述Ni纳米线平均直径在200nm至300nm之间，平均长度在50,000nm至200,000nm之间。 | ||
| 地址 | 430074 湖北省武汉市洪山区珞喻路1037号 | ||