LED芯片制造方法

摘要

本发明提供一种LED芯片制造方法，其首先利用金属有机化学气相沉积技术在半导体衬底上生长出GaN半导体层，并在GaN半导体层上蒸镀透明电极，接着在透明电极上制作刻蚀光罩以便对所述透明电极进行透明电极蚀刻和ICP刻蚀，以便制作N电极，接着再对透明电极进行二次透明电极蚀刻及去光阻，以便制作P电极，然后对所述透明电极熔合后，再进行N/P光罩，然后进行金属蒸镀、金属剥离形成P电极和N电极，接着再进行金属熔合，最后在已形成P电极和N电极的半导体结构上沉积钝化层，开双孔光罩后对所述钝化层进行钝化蚀刻，由此形成低成本的LED芯片。

主权项

一种LED芯片制造方法，其特征在于包括步骤：1）利用金属有机化学气相沉积技术在半导体衬底或蓝宝石衬底上生长出GaN半导体层，并在GaN半导体层上蒸镀透明电极，其中，所述GaN半导体层包括N‑GaN层、量子阱及P‑GaN层；2）在透明电极上制作刻蚀光罩后，再对所述透明电极进行透明电极蚀刻和ICP刻蚀，以便制作N电极；3）再次对所述透明电极进行二次透明电极蚀刻及去光阻，以便制作P电极，其中，所述光阻即为步骤2）中的刻蚀光罩；4）对所述透明电极熔合后，再进行N/P光罩，然后进行金属蒸镀、金属剥离形成P电极和N电极，接着再进行金属熔合；5）在已形成P电极和N电极的半导体结构上沉积钝化层，开双孔光罩后对所述钝化层进行钝化蚀刻，由此形成LED芯片。