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Verfahren zum Herstellen eines Halbleiterelements in einem Substrat, aufweisend:•Implantieren von Leicht-Ionen in das Substrat, wobei mittels des Implantierens plättchenartige Defekte in einem ersten Teilbereich des Substrats gebildet werden;•erste thermische Behandlung, wobei aus den plättchenartigen Defekten ein Band von Mikro-Hohlräumen gebildet wird;•Implantieren von Voramorphisierungs-Ionen in das Substrat, wodurch ein zweiter Teilbereich des Substrats zumindest teilweise amorphisiert wird, wobei das Band von Mikro-Hohlräumen tiefer liegt als eine amorph/kristallin-Grenzfläche zwischen dem ersten Teilbereich und dem zweiten Teilbereich, welche durch das Implantieren der Voramorphisierungs-Ionen gebildet wird;•Implantieren von reaktiven Ionen, die mit Zwischengitterplatz-Defekten unter Paar- oder Clusterbildung reagieren, in den zweiten Teilbereich des Substrats;•Implantieren von Dotieratomen in den zweiten Teilbereich des Substrats, wobei zumindest ein Bereich des zweiten Teilbereichs einen flachen Übergang des Halbleiterelements bildet, welcher oberhalb der Schicht mit den reaktiven Ionen liegt;•weitere thermische Behandlung, wobei eine zumindest teilweise Rekristallisierung des zumindest teilweise amorphisierten zweiten Teilbereichs des Substrats erreicht wird. |
