| 发明名称 | 用于处理半导体工件的方法和装置 | ||
| 摘要 | 本发明提供了用于处理半导体工件的方法和装置，半导体工件具有正面和背面。该方法包括：将工件的背面放置在沉积室中的工件支架上，以使得工件的正面面朝沉积室以进行处理，沉积室具有相关的沉积室气体压强，并且背面与具有相关背部气体压强的背部区域流体流通；在第一沉积室压强P<sub>c1</sub>和第一背压P<sub>b1</sub>下执行工件处理步骤，其中，P<sub>c1</sub>和P<sub>b1</sub>引起压强差P<sub>b1</sub>-P<sub>c1</sub>，压强差P<sub>b1</sub>-P<sub>c1</sub>被维持以避免工件与工件支架之间因压强致失去接触；以及，在第二沉积室压强P<sub>c2</sub>和第二背压P<sub>b2</sub>下执行工件冷却步骤，其中，P<sub>c2</sub>和P<sub>b2</sub>分别高于P<sub>c1</sub>和P<sub>b1</sub>，至少P<sub>b2</sub>高至足以增强工件的冷却，并且其中，P<sub>c2</sub>和P<sub>b2</sub>引起压强差P<sub>b2</sub>-P<sub>c2</sub>，维持压强差P<sub>b2</sub>-P<sub>c2</sub>以避免工件与工件支架之间因压强致失去接触。 | ||
| 申请公布号 | CN103762161A | 申请公布日期 | 2014.04.30 |
| 申请号 | CN201310351599.9 | 申请日期 | 2013.08.13 |
| 申请人 | SPTS科技有限公司 | 发明人 | 斯蒂芬·R·伯吉斯;安东尼·P·威尔比 |
| 分类号 | H01L21/203(2006.01)I;H01L21/67(2006.01)I;H01J37/32(2006.01)I;H01J37/02(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/203(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京派特恩知识产权代理事务所(普通合伙) 11270 | 代理人 | 归莹;张颖玲 |
| 主权项 | 一种用于处理半导体工件的方法，所述半导体工件具有正面和背面，该方法包括步骤：i).将所述工件的所述背面放置在沉积室中的工件支架上，以使得所述工件的所述正面面朝所述沉积室以进行处理，所述沉积室具有相关的沉积室气体压强，并且所述背面与具有相关背部气体压强的背部区域流体流通；ii).在第一沉积室压强P<sub>c1</sub>和第一背压P<sub>b1</sub>下执行工件处理步骤，其中，P<sub>c1</sub>和P<sub>b1</sub>引起压强差P<sub>b1</sub>‑P<sub>c1</sub>，所述压强差P<sub>b1</sub>‑P<sub>c1</sub>被维持以避免所述工件与所述工件支架之间因压强致失去接触；以及iii).在第二沉积室压强P<sub>c2</sub>和第二背压P<sub>b2</sub>下执行工件冷却步骤，其中，P<sub>c2</sub>和P<sub>b2</sub>分别高于P<sub>c1</sub>和P<sub>b1</sub>，至少P<sub>b2</sub>高至足以增强所述工件的冷却，并且其中，P<sub>c2</sub>和P<sub>b2</sub>引起压强差P<sub>b2</sub>‑P<sub>c2</sub>，维持所述压强差P<sub>b2</sub>‑P<sub>c2</sub>以避免所述工件与所述工件支架之间因压强致失去接触。 | ||
| 地址 | 英国新港 | ||