发明名称 晶体振荡器性能检测仪
摘要 本发明是关于一种晶体振荡器性能检测仪,其特征包括:9V直流电源、多频振荡电路、倍压检波及滤波电路、直流放大及测试结果显示电路;所述的多频振荡电路由被测晶体振荡器BC、电阻R1、NPN型晶体管BG1、电容C1、电容C2和电阻R2组成;所述的倍压检波及滤波电路由电容C3、2只锗二极管D1~D2、电解电容C4和电容C5组成,2只锗二极管D1~D2选用的型号为2AP30E;所述的直流放大及测试结果显示电路由NPN型晶体管BG2和发光二极管LED组成。本发明为技术人员在维修时,能够方便、准确测试各种红外线遥控器、U盘、MP3等电路中的晶体振荡器是否损坏,为迅速地修复电子设备提供了方便。
申请公布号 CN103760446A 申请公布日期 2014.04.30
申请号 CN201410036968.X 申请日期 2014.01.24
申请人 吴建堂 发明人 吴建堂
分类号 G01R31/00(2006.01)I 主分类号 G01R31/00(2006.01)I
代理机构 代理人
主权项 一种晶体振荡器性能检测仪,它包括9V直流电源、多频振荡电路、倍压检波及滤波电路、直流放大及测试结果显示电路,其特征在于:所述的多频振荡电路由被测晶体振荡器BC、电阻R1、NPN型晶体管BG1、电容C1、电容C2和电阻R2组成,NPN型晶体管BG1的基极接电阻R1的一端、电容C1的一端和被测晶体振荡器BC的一端,电阻R1的另一端和NPN型晶体管BG1的集电极接电路正极VCC,电容C1的另一端和NPN型晶体管BG1的发射极接电容C2的一端和电阻R2的一端,被测晶体振荡器BC的另一端和电容C2的另一端及电阻R2的另一端接电路地GND;所述的倍压检波及滤波电路由电容C3、2只锗二极管D1~D2、电解电容C4和电容C5组成,2只锗二极管D1~D2选用的型号为2AP30E,NPN型晶体管BG1的发射极通过电容C3接锗二极管D1的负极和锗二极管D2的正极,锗二极管D2的负极接电解电容C4的正极和电容C5的一端,锗二极管D1的正极和电解电容C4的负极及电容C5的另一端接电路地GND;所述的直流放大及测试结果显示电路由NPN型晶体管BG2和发光二极管LED组成,NPN型晶体管BG2的基极接锗二极管D2的负极,NPN型晶体管BG2的集电极接发光二极管LED的负极,发光二极管LED的正极接电路正极VCC,NPN型晶体管BG2的发射极接电路地GND;所述的9V直流电源的正极与电路正极VCC相连,9V直流电源的负极与电路地GND相连。
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