发明名称 |
低温低噪放大器 |
摘要 |
本实用新型公开了一种低温低噪放大器,包括一对铝散热器、一对散热风扇、多个四级半导体组件、低温低噪放大器本体、发泡保温层、一对制冷片及壳体;一对铝散热器、一对散热风扇、多个四级半导体组件、低温低噪放大器本体、发泡保温层及一对制冷片设在壳体内,制冷片连接在低温低噪放大器本体两侧;多个四级半导体组件位于低温低噪放大器本体的前后两端;四级半导体组件的冷端贴近低温低噪放大器本体,四级半导体组件的热端贴近铝散热器,一对铝散热器位于壳体的前端和后端;散热风扇嵌入在铝散热器上;发泡保温层填充在低温低噪放大器本体、四级半导体组件及制冷片之间。本实用新型成本低,能改善低噪声放大器的NF指标20%以上,体积缩小。 |
申请公布号 |
CN203563008U |
申请公布日期 |
2014.04.23 |
申请号 |
CN201320750597.2 |
申请日期 |
2013.11.25 |
申请人 |
杭州天程电子有限公司 |
发明人 |
陈震宇;陈光亮;张忠海;钱再春;练宣宙 |
分类号 |
H03F1/26(2006.01)I;H03F1/30(2006.01)I |
主分类号 |
H03F1/26(2006.01)I |
代理机构 |
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代理人 |
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主权项 |
一种低温低噪放大器,其特征在于:包括一对铝散热器、一对散热风扇、多个四级半导体组件、低温低噪放大器本体、发泡保温层、一对制冷片及壳体;所述的一对铝散热器、一对散热风扇、多个四级半导体组件、低温低噪放大器本体、发泡保温层及一对制冷片分别设置在所述的壳体内,一对制冷片的一端分别连接在所述的低温低噪放大器本体的两侧端,所述的一对制冷片的另一端分别向外侧延伸并与所述的壳体连接,所述的一对制冷片关于所述的低温低噪放大器本体对称;所述的多个四级半导体组件3有4个,所述的多个四级半导体组件分别位于所述的低温低噪放大器本体的前后两端,所述的多个四级半导体组件关于所述的低温低噪放大器本体的中心对称;所述的多个四级半导体组件为每四片一组的半导体制冷片,所述的四级半导体组件的冷端贴近所述的低温低噪放大器本体,所述的四级半导体组件的热端贴近所述的铝散热器,所述的一对铝散热器分别位于所述的壳体的前端和后端,所述的一对铝散热器关于所述的低温低噪放大器本体对称;所述的一对散热风扇分别嵌入在所述的一对铝散热器上,所述的壳体的前端面和后端面的中央分别设有散热通孔,所述的一对散热风扇分别与所述的壳体的散热通孔相对应,所述的一对散热风扇关于所述的低温低噪放大器本体对称,所述的散热通孔上设有安全防尘网;所述的发泡保温层填充在所述的低温低噪放大器本体、多个四级半导体组件及一对制冷片之间。 |
地址 |
310018 浙江省杭州市下沙经济开发区3号大街南39号 |