一种静电放电保护结构

摘要

本发明公开一种静电放电保护结构，包括一衬底，P阱、N阱，N阱内包括第一N型注入区、第一P型注入区、第二N型注入区的一部分，且三者之间用氧化硅隔离；P阱内从N阱端开始依次包括所述第二N型注入区的另一部分、第三N型注入区、第二P型注入区、第四N型注入区、第三P型注入区，其中第三N型注入区、第二P型注入区、第四N型注入区、第三P型注入区之间用氧化硅隔离，第二N型注入区的另一部分和第三N型注入区之间的表面设有多晶硅栅极，第一P型注入区、第一N型注入区、第四N型注入区连接被保护管脚，多晶硅栅极、第三N型注入区、第二P型注入区、第三P型注入区接地端。本发明结构简单，且具有很高的正向和反向静电放电防护能力。

主权项

一种静电放电保护结构，其特征在于：包括一衬底，P阱、N阱，所述N阱内包括第一N型注入区、第一P型注入区、第二N型注入区的一部分，且三者之间用氧化硅隔离；所述P阱内从N阱端开始依次包括所述第二N型注入区的另一部分、第三N型注入区、第二P型注入区、第四N型注入区、第三P型注入区，其中第三N型注入区、第二P型注入区、第四N型注入区、第三P型注入区之间用氧化硅隔离，所述第二N型注入区的另一部分和第三N型注入区之间的表面设有多晶硅栅极，所述第一P型注入区、第一N型注入区、第四N型注入区连接被保护管脚，所述多晶硅栅极、第三N型注入区、第二P型注入区、第三P型注入区接地端。