| 发明名称 | 一种改善片式氧传感器气密性的方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种改善片式氧传感器气密性的方法，其包括如下步骤：制备Li<sub>2</sub>O-Al<sub>2</sub>O<sub>3</sub>-SiO<sub>2</sub>或CaO-Al<sub>2</sub>O<sub>3</sub>-SiO<sub>2</sub>玻璃料；将制得的玻璃料或其与氧化锆粉体的混合物加入粘结剂中，制得浆料；将得到的浆料涂覆在片式氧传感器周围，然后在1200～1500℃下共烧0.5～4小时。本发明方法可显著提高片式氧传感器产品的合格率，减少因为气密性原因导致的不合格品，具有实用价值。 | ||
| 申请公布号 | CN103743870A | 申请公布日期 | 2014.04.23 |
| 申请号 | CN201410025535.4 | 申请日期 | 2014.01.20 |
| 申请人 | 中国科学院上海硅酸盐研究所 | 发明人 | 冯涛;蒋丹宇;徐兵;徐权;夏金峰;粘洪强;黄德信;徐海芳 |
| 分类号 | G01N33/00(2006.01)I | 主分类号 | G01N33/00(2006.01)I |
| 代理机构 | 上海海颂知识产权代理事务所(普通合伙) 31258 | 代理人 | 何葆芳 |
| 主权项 | 一种改善片式氧传感器气密性的方法，其特征在于，包括如下步骤：a)制备Li<sub>2</sub>O‑Al<sub>2</sub>O<sub>3</sub>‑SiO<sub>2</sub>或CaO‑Al<sub>2</sub>O<sub>3</sub>‑SiO<sub>2</sub>玻璃料；b)将步骤a)制得的玻璃料或其与氧化锆粉体的混合物加入粘结剂中，制得浆料；c)将步骤b)得到的浆料涂覆在片式氧传感器周围，然后在1200～1500℃下共烧0.5～4小时。 | ||
| 地址 | 200050 上海市长宁区定西路1295号 | ||