一种GOI晶片结构的制备方法

摘要

本发明提供一种GOI晶片结构的制备方法，该方法首先利用Smart-Cut技术制作出SGOI晶片结构，然后对SGOI晶片结构进行锗浓缩，从而得到GOI晶片结构。由于利用Smart-Cut技术制作的SGOI在SGOI/BOX界面基本不存在失配位错，从而最终降低了GOI的穿透位错。本发明工艺简单，可实现高质量GOI晶片结构，大大改进了锗浓缩技术，离子注入技术、退火技术在目前半导体行业都是非常成熟的工艺，该制备方法大大提高了锗浓缩在半导体工业界广泛应用的可能性。

主权项

一种GOI晶片结构的制备方法，其特征在于，至少包括以下步骤：1）利用智能剥离工艺制备出SGOI结构；2）对所述SGOI结构进行锗浓缩，形成依次包含有第二Si衬底、绝缘埋层BOX、Ge层、SiO₂层的层叠结构；3）腐蚀掉所述层叠结构表面的SiO₂层以得到GOI结构；所述步骤2）还包括：2‑1）将所述SGOI结构放入600℃反应炉中，然后通入5000ccm的N₂作为保护气氛，以每分钟上升10℃速度加热反应炉至达到1050℃后停止通入N₂；2‑2）通入4000ccm的O₂保持30分钟后停止；2‑3）通入5000ccm的N₂保持30分钟后停止；2‑4）依次重复步骤2‑2）与步骤2‑3）4次后，在N₂气氛下使反应炉温度在1个小时内从1050℃降到900℃；2‑5）通入4000ccm的O₂保持30分钟后停止；2‑6）通入5000ccm的N₂保持30分钟后停止；2‑7）依次重复步骤2‑5）与步骤2‑6）4次后，在N₂气氛下使反应炉温度在1个小时内从900℃降至600℃，完成锗浓缩，形成依次包含有第二Si衬底、绝缘埋层BOX、Ge层、SiO₂层的层叠结构。