发明名称 |
一种场限环-负斜角复合终端结构 |
摘要 |
本发明公开了一种场限环-负斜角复合终端结构,将芯片的区域作为有源区,将有源区外围区域作为终端区,有源区和终端区共同的n<sup>-</sup>衬底下方设置有n型FS层,在n型FS层下方设置有p<sup>+</sup>阳极区及阳极;有源区中,n<sup>-</sup>基区中设置有多个并联的单元,每个单元内与n<sup>-</sup>基区相邻的是波状p基区,p基区上面为p<sup>+</sup>基区,p<sup>+</sup>基区设置有一个阴极n<sup>+</sup>发射区,每个n<sup>+</sup>发射区上方设有阴极;p<sup>+</sup>基区上方设有门极,并且整个门极环绕在所包围的阴极n<sup>+</sup>发射区的周围;在终端区的n<sup>-</sup>衬底内,在主结外侧设了至少一个p型场限环,并在场限环上面有一个负斜角,斜面上覆有钝化层。本发明的场限环-负斜角复合终端结构具有更好的高温稳定性。 |
申请公布号 |
CN103745987A |
申请公布日期 |
2014.04.23 |
申请号 |
CN201310695943.6 |
申请日期 |
2013.12.17 |
申请人 |
西安理工大学 |
发明人 |
王彩琳;王一宇 |
分类号 |
H01L29/06(2006.01)I;H01L29/40(2006.01)I |
主分类号 |
H01L29/06(2006.01)I |
代理机构 |
西安弘理专利事务所 61214 |
代理人 |
李娜 |
主权项 |
一种场限环‑负斜角复合终端结构,其特征在于:将芯片的中央区域作为有源区,将有源区外围区域作为终端区,有源区和终端区共同的n<sup>‑</sup>衬底下方设置有n型FS层,在n型FS层下方设置有p<sup>+</sup>阳极区及其阳极;在有源区中,n<sup>‑</sup>基区中设置有多个并联的单元,每个单元内与n<sup>‑</sup>基区相邻的是波状p基区,p基区上面为p<sup>+</sup>基区,p<sup>+</sup>基区中央设置有一个阴极n<sup>+</sup>发射区,每个n<sup>+</sup>发射区上方设置有阴极;p<sup>+</sup>基区上方设置有门极,并且整个门极环绕在所包围的阴极n<sup>+</sup>发射区的周围;在终端区的n<sup>‑</sup>衬底内,在主结外侧设置了至少一个p型场限环,并且在场限环上面有一个负斜角,使得终端区上表面为斜面,斜面上覆有钝化层。 |
地址 |
710048 陕西省西安市金花南路5号 |