发明名称 |
半导体组合件、堆叠式半导体装置及制造半导体组合件及堆叠式半导体装置的方法 |
摘要 |
本发明揭示堆叠式半导体装置、半导体组合件、制造堆叠式半导体装置的方法及制造半导体组合件的方法。半导体组合件(100)的一个实施例包括经薄化的半导体晶片(110),所述半导体晶片具有以可释放方式附接到临时载体(130)的作用侧、后侧及位于所述作用侧处的多个第一裸片。个别第一裸片具有集成电路、电连接到所述集成电路的第一贯通裸片互连件(125)及暴露在所述晶片的所述后侧处的互连触点(126)。所述组合件进一步包含多个分离的第二裸片,所述第二裸片使其前侧附接到对应的第一裸片的后侧,其中个别第二裸片具有集成电路、电连接到所述集成电路的贯通裸片互连件(147)及后侧处的接触点(148),且其中所述个别第二裸片具有大约小于100微米的厚度。 |
申请公布号 |
CN101681886B |
申请公布日期 |
2014.04.23 |
申请号 |
CN200880019833.5 |
申请日期 |
2008.05.30 |
申请人 |
美光科技公司 |
发明人 |
戴维·A·普拉特 |
分类号 |
H01L21/98(2006.01)I;H01L23/48(2006.01)I |
主分类号 |
H01L21/98(2006.01)I |
代理机构 |
北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 |
代理人 |
沈锦华 |
主权项 |
一种制造堆叠式半导体组合件的方法,其包括:将半导体晶片安装到临时载体,其中所述晶片具有在所述晶片上布置成裸片图案的多个第一裸片,单个的所述第一裸片具有位于所述晶片的第一侧的第一端子和与所述第一端子接触的第一贯通裸片互连件的第一端,并从所述第一侧朝所述晶片的第二侧延伸,其中所述第一贯通裸片互连件的第二端嵌入于所述半导体晶片内;通过移除位于所述晶片的所述第二侧与所述第一贯通裸片互连件的所述第二端之间的所述晶片的材料来薄化所述晶片,以暴露位于所述晶片的所述第二侧的所述第一贯通裸片互连件;随后,将多个经单个化的第二裸片附接到所述晶片的所述第二侧并将所述第二裸片连接到对应的第一裸片,其中所述第二裸片布置成所述裸片图案且彼此间隔开间隙,单个的所述第二裸片具有与暴露的所述第一贯通裸片互连件接触的前侧端子;在所述第二裸片之间的所述间隙中安置囊封材料;及在将所述第二裸片附接到所述第一裸片之后薄化所述第二裸片。 |
地址 |
美国爱达荷州 |