一种SiC/SiO₂同轴纳米线的制备方法

摘要

本发明公开了一种SiC/SiO₂同轴纳米线的制备方法，其步骤为：以人造石墨粉、活性炭粉、鳞片石墨粉中的一种为碳源，以硅粉、无定形态氧化硅粉末、纳米级氧化硅粉末中的一种或任意几种为硅源，将碳源和硅源充分混合后置于微波谐振腔中，将微波谐振腔抽真空，然后利用微波辐照加热碳源和硅源形成的混合物，保温反应，得到SiC/SiO₂同轴纳米线。本方法利用高能微波辐照，快速、高效的得到大量纳米线，产物均匀、纯净且形态可控；该方法简单高效，成本低廉，重现性好，不需要进行原料的预处理，无需催化剂、模板以及衬底，且纳米线产率高，利于进行大规模工业化生产。

主权项

一种SiC/SiO₂同轴纳米线的制备方法，其步骤为：以人造石墨粉、活性炭粉、鳞片石墨粉中的一种为碳源，以硅粉、无定形态氧化硅粉末、纳米级氧化硅粉末中的一种或任意几种为硅源，将碳源和硅源充分混合后置于微波炉的谐振腔中，将微波谐振腔抽真空，然后利用微波辐照加热碳源和硅源形成的混合物，保温反应，得到SiC/SiO₂同轴纳米线。