发明名称 |
溅射用钽制线圈的再生方法及通过该再生方法得到的钽制线圈 |
摘要 |
本发明涉及一种溅射用钽制线圈的再生方法,其为配置在基板与溅射靶之间的溅射用钽制线圈的再生方法,其特征在于,对于使用过的钽制线圈,通过切削加工对线圈的全部或一部分进行单面切除(直至再沉积膜及滚花加工痕迹消失为止的切削),将溅射中形成的再沉积膜除去,然后,在切削后的部位重新实施滚花。本发明的课题在于提供如下技术:在溅射中,溅射粒子会堆积(再沉积)到配置在基板与溅射靶之间的钽制线圈的表面上,但在溅射结束后,通过切削将堆积于该使用过的线圈的溅射粒子除去,有效地再生钽制线圈,由此,排除制作新线圈的浪费,使生产率提高,能够稳定地提供该再生线圈。 |
申请公布号 |
CN103748258A |
申请公布日期 |
2014.04.23 |
申请号 |
CN201280040678.1 |
申请日期 |
2012.09.14 |
申请人 |
吉坤日矿日石金属株式会社 |
发明人 |
塚本志郎 |
分类号 |
C23C14/34(2006.01)I;C23C14/00(2006.01)I |
主分类号 |
C23C14/34(2006.01)I |
代理机构 |
中原信达知识产权代理有限责任公司 11219 |
代理人 |
王海川;穆德骏 |
主权项 |
一种溅射用钽制线圈的再生方法,其为配置在基板与溅射靶之间的溅射用钽制线圈的再生方法,其特征在于,对于使用过的钽制线圈,通过切削加工对线圈的全部或一部分进行直至再沉积膜或侵蚀部的凹凸及滚花加工痕迹消失而得到光滑的面为止的切削,将溅射中形成的再沉积膜除去,然后,在切削后的部位重新实施滚花。 |
地址 |
日本东京 |