| 发明名称 | 陶瓷电子元件的制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供一种陶瓷电子元件的制造方法，以克服如果水分浸入到了陶瓷电子元件所具有的空隙部分中的话，则电绝缘性及寿命特性即陶瓷电子元件的可靠性降低这样的课题。为了防止水分浸入到空隙部分，使用疏水处理剂至少对陶瓷电子元件(1)的元件主体(2)赋予疏水性。此时，使用以超临界CO<sub>2</sub>流体这样的超临界流体为溶剂溶解后的疏水处理剂，至少对元件主体(2)赋予疏水性。优选在赋予疏水性之后，去除元件主体(2)的外表面上的疏水处理剂。作为疏水处理剂，适宜使用硅烷偶联剂。 | ||
| 申请公布号 | CN102290239B | 申请公布日期 | 2014.04.23 |
| 申请号 | CN201110114209.7 | 申请日期 | 2011.04.29 |
| 申请人 | 株式会社村田制作所 | 发明人 | 齐藤顺一;小林敏彦;小川诚;元木章博;川崎健一;国司多通夫 |
| 分类号 | H01G4/30(2006.01)I;H01G4/232(2006.01)I | 主分类号 | H01G4/30(2006.01)I |
| 代理机构 | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人 | 樊建中 |
| 主权项 | 一种陶瓷电子元件的制造方法，其特征在于，包括：准备由陶瓷构成的元件主体的工序；在所述元件主体的外表面上形成外部端子电极的工序；和使用疏水处理剂至少对所述元件主体的陶瓷表面及金属部的氧化薄膜表面脱水缩合而赋予疏水性的工序，所述赋予疏水性的工序包括：使用以超临界流体为溶剂溶解后的疏水处理剂至少对所述元件主体赋予疏水性的工序，所述疏水处理剂是硅烷偶联剂。 | ||
| 地址 | 日本京都府 | ||