| 发明名称 | 深孔电镀的预处理方法 | ||
| 摘要 | 本发明涉及一种深孔电镀的预处理方法，包括如下步骤：步骤（1）选择待镀的具有一个或多个深孔的半导体芯片，选择纯水，并冷却；步骤（2）将所述半导体芯片进行抽真空处理；步骤（3）将所述半导体芯片在真空下浸泡在所述纯水中；步骤（4）将所述半导体芯片使用镀液浸泡、小电流刺激；步骤（5）将所述半导体芯片使用上述镀液进行电镀。本发明使深孔与镀液充分接触，减少大深宽比的孔径中残留的气泡，有效减少空隙和接缝等缺陷的发生。 | ||
| 申请公布号 | CN103726085A | 申请公布日期 | 2014.04.16 |
| 申请号 | CN201310694379.6 | 申请日期 | 2013.12.17 |
| 申请人 | 上海交通大学 | 发明人 | 李明;凌惠琴;孙琪;曹海勇;李义 |
| 分类号 | C25D5/00(2006.01)I;C25D7/12(2006.01)I;C25D7/04(2006.01)I | 主分类号 | C25D5/00(2006.01)I |
| 代理机构 | 上海汉声知识产权代理有限公司 31236 | 代理人 | 牛山;陈少凌 |
| 主权项 | 一种深孔电镀的预处理方法，其特征在于，包括如下步骤：步骤（1）选择待镀的具有一个或多个深孔的半导体芯片，选择纯水，并冷却；步骤（2）将所述半导体芯片进行抽真空处理；步骤（3）将所述半导体芯片在真空下浸泡在所述纯水中；步骤（4）将所述半导体芯片使用镀液浸泡、小电流刺激；步骤（5）将所述半导体芯片使用上述镀液进行电镀。 | ||
| 地址 | 200240 上海市闵行区东川路800号 | ||