| 发明名称 | 太赫兹调制器 | ||
| 摘要 | 根据一个方面，本发明涉及一种用于给定使用频带的太赫兹调制器。所述调制器包括极性半导体晶体(330)，其具有覆盖所述使用频带的剩余射线波段，并且具有与电介质媒介的至少一个界面；耦合装置(330)，其允许由所述界面支撑的界面声子极化激元(IPhP)与在所述使用频带中的预定频率的入射辐射(2)的谐振耦合；以及控制装置(22)，其通过修改所述极性晶体(10)的剩余射线波段中的所述极性晶体的电介质函数，而倾向于修改所述界面声子极化激元和所述入射辐射(2)之间的耦合强度。 | ||
| 申请公布号 | CN103733122A | 申请公布日期 | 2014.04.16 |
| 申请号 | CN201280018129.4 | 申请日期 | 2012.02.14 |
| 申请人 | 国立科学研究中心 | 发明人 | S·瓦桑;F·帕尔多;J-L·珀卢阿尔;J-J·格雷费;A·阿尔尚博;F·马基耶 |
| 分类号 | G02F1/01(2006.01)I | 主分类号 | G02F1/01(2006.01)I |
| 代理机构 | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人 | 陈松涛;夏青 |
| 主权项 | 一种用于给定使用频带(Δv)中的太赫兹调制器(1)，包括：‑半导体极性晶体(10)，其具有覆盖所述使用频带的剩余射线波段，并且具有与电介质媒介的至少一个界面；‑耦合装置(30)，其允许由所述界面支撑的界面声子极化激元(IPhP)与在所述使用频带中的频率的入射辐射(2)的谐振耦合；以及‑控制装置(20)，其通过修改所述极性晶体(10)的剩余射线波段中的所述极性晶体(10)的电介质函数，而倾向于修改所述界面声子极化激元和所述入射辐射(2)之间的耦合强度。 | ||
| 地址 | 法国巴黎 | ||