| 发明名称 | SOI结构及其制作方法 | ||
| 摘要 | 一种SOI结构的制作方法，包括：提供衬底；形成依次位于所述衬底上的埋氧层、半导体层；在所述埋氧层、半导体层的侧壁上形成侧墙；以所述侧墙为掩模，沿衬底方向去除部分衬底材料，以形成由剩余衬底与所述埋氧层围成的沟槽；在所述沟槽中形成介质材料。此外本发明还提供了一种SOI结构，包括衬底、位于衬底的边缘部上的介质材料；依次位于所述衬底和所述介质材料上的埋氧层、半导体层以及位于埋氧层、半导体层侧壁上的侧墙。本发明的技术方案具有以下优点：在衬底上开设沟槽并在所述沟槽中形成介质材料，使得半导体层与衬底之间的间距增大，进而使得所述半导体层与衬底之间的寄生电容减小。 | ||
| 申请公布号 | CN103730405A | 申请公布日期 | 2014.04.16 |
| 申请号 | CN201410006921.9 | 申请日期 | 2014.01.07 |
| 申请人 | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 | 发明人 | 刘张李 |
| 分类号 | H01L21/762(2006.01)I;H01L21/336(2006.01)I;H01L29/06(2006.01)I;H01L29/78(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/762(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人 | 高静;骆苏华 |
| 主权项 | 一种SOI结构的制作方法，其特征在于，包括：提供衬底；形成依次位于所述衬底上的埋氧层、半导体层；在所述埋氧层、半导体层的侧壁上形成侧墙；以所述侧墙为掩模，沿衬底方向去除部分衬底材料，以形成由剩余衬底与所述埋氧层围成的沟槽；在所述沟槽中形成介质材料。 | ||
| 地址 | 201203 上海市浦东新区上海市张江高科技园区祖冲之路1399号 | ||