具有硅化物化源极-漏极区域的FINFET器件及其使用两步退火的制作方法

摘要

热退火流程工艺包括如下步骤：在硅半导体结构上沉积金属或金属合金；执行快速热退火(RTA)类型的第一退火以在硅半导体结构的一部分中生成富金属相；去除未反应的金属或金属合金；以及以如下温度执行作为毫秒退火的第二退火，该温度低于在硅半导体结构中存在的硅材料的熔化温度。

主权项

一种方法，包括：在含硅材料上沉积金属或金属合金；以第一温度热退火；去除未反应的金属或金属／合金；以及以第二温度并且持续少于30毫秒的持续时间热退火，其中所述第二温度大于所述第一温度，并且其中所述第二温度是在所述含硅材料的熔化温度以下的亚熔化温度。