| 发明名称 | 用于外延工艺的半导体制造设备 | ||
| 摘要 | 根据本发明一实施例，一种半导体制造设备，其特征在于，所述半导体制造设备包括：清洗腔室，其实施对基板的清洗工艺；外延腔室，其实施在所述基板上形成外延层的外延工艺；缓冲腔室，其具备用于载置所述基板的载置空间；搬运腔室，其侧面与所述清洗腔室、所述缓冲腔室、及所述外延腔室连接，并且具备在所述清洗腔室、所述缓冲腔室、及所述外延腔室之间用于搬运所述基板的基板处理器，其中，所述基板处理器向所述载置空间依次载置已结束所述清洗工艺的所述基板后，并且将已载置的所述基板向所述外延腔室搬运，而且向所述载置空间依次载置形成有所述外延层的所述基板。 | ||
| 申请公布号 | CN103733309A | 申请公布日期 | 2014.04.16 |
| 申请号 | CN201280037955.3 | 申请日期 | 2012.07.31 |
| 申请人 | 株式会社EUGENE科技 | 发明人 | 金荣大;玄俊镇;禹相浩;申承祐;金海元 |
| 分类号 | H01L21/20(2006.01)I;H01L21/302(2006.01)I;H01L21/02(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/20(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京北翔知识产权代理有限公司 11285 | 代理人 | 杨勇;郑建晖 |
| 主权项 | 一种半导体制造设备，其特征在于，所述半导体制造设备包括：清洗腔室，其实施对基板的清洗工艺；外延腔室，其实施在所述基板上形成外延层的外延工艺；缓冲腔室，其具备用于载置所述基板的载置空间；以及搬运腔室，其侧面与所述清洗腔室、所述缓冲腔室、及所述外延腔室连接，并且具备在所述清洗腔室、所述缓冲腔室、及所述外延腔室之间用于搬运所述基板的基板处理器，其中，所述基板处理器向所述缓冲腔室依次搬运已结束所述清洗工艺的所述基板，并且将载置于所述缓冲腔室的所述基板向所述外延腔室搬运，而且向所述缓冲腔室依次搬运形成有所述外延层的所述基板。 | ||
| 地址 | 韩国京畿道龙仁市 | ||