| 发明名称 | 一种采用SiGe HBT工艺的MOS可变电容及其制作方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种采用SiGe HBT工艺的MOS可变电容,包括轻掺杂的P型衬底上形成有集电区，所述集电区上形成有介质层，所述介质层上形成有多晶硅层，其中：所述多晶硅层由接触孔引出作为MOS可变电容的一端，所述轻掺杂的P型衬底上部形成有N型赝埋层连接所述集电区，所述N型赝埋层由深接触孔引出作为MOS可变电容的另一端。本发明还公开了一种采用SiGe HBT工艺的MOS可变电容的制作方法。本发明的MOS可变电容打破了现有SiGe HBT器件结构中没有MOS相关结构的局限，能做为MOS可变电容使用。 | ||
| 申请公布号 | CN102412313B | 申请公布日期 | 2014.04.16 |
| 申请号 | CN201110311539.5 | 申请日期 | 2011.10.14 |
| 申请人 | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 | 发明人 | 刘冬华;段文婷;钱文生;胡君;石晶 |
| 分类号 | H01L29/94(2006.01)I;H01L21/02(2006.01)I | 主分类号 | H01L29/94(2006.01)I |
| 代理机构 | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人 | 丁纪铁 |
| 主权项 | 一种采用SiGe HBT工艺的MOS可变电容,包括轻掺杂的P型衬底上形成有集电区，所述集电区上形成有介质层，所述介质层上形成有多晶硅层，其特征是：所述多晶硅层由接触孔引出作为MOS可变电容的一端，所述轻掺杂的P型衬底上部形成有N型赝埋层连接所述集电区，所述N型赝埋层由深接触孔引出作为MOS可变电容的另一端。 | ||
| 地址 | 201203 上海市浦东新区张江高科技园区祖冲之路1399号 | ||