用于改进的亚阈值MOSFET性能的I形栅极电极

摘要

本发明揭示具有减少的亚阈值传导的金属氧化物半导体MOS晶体管，以及其制造方法。在这些晶体管中制造具有某一形状和尺寸的晶体管栅极结构以从隔离电介质结构与晶体管有效区域之间的界面重叠到有效区上。最小沟道长度传导因此在隔离到有效界面处不可用，而是大体上加长了沿着所述界面的沟道长度，从而减少断开状态传导。

主权项

一种金属氧化物半导体MOS晶体管结构，其包括：一个或一个以上隔离电介质结构，其安置于主体的半传导表面的选定位置处，所述隔离电介质结构界定所述表面的与其邻近的大体上矩形有效区，所述有效区具有在第一方向上延伸的第一和第二平行边缘，以及在垂直于所述第一方向的第二方向上延伸的第三和第四平行边缘；栅极电介质层，其安置于所述有效区的至少一部分上；以及栅极结构，其安置于所述有效区处的所述栅极电介质层的一部分上，所述栅极结构延伸到隔离电介质结构上邻近于所述有效区，且所述栅极结构包括：中央部分，其安置于所述有效区上且在所述第二方向上延伸；以及与所述中央部分邻接的第一和第二末端部分，每一末端部分安置于隔离电介质结构上邻近于所述有效区，所述第一和第二末端部分分别与所述有效区的所述第一和第二边缘重叠；所述有效区的源极和漏极区，其安置于所述中央部分的相对侧上，各自被掺杂为与下伏于所述栅极结构的所述有效区的沟道区的一部分相反的导电类型；其中所述邻接的第一和第二末端部分中的每一者也与所述有效区的所述第三和第四边缘重叠。