发明名称 |
MOSFET驱动电路 |
摘要 |
本实用新型提供了一种MOSFET驱动电路,包括驱动芯片、脉冲变压器、两个栅极电阻、两个快恢复肖特基二极管、NPN型三极管及MOSFET管,其中:所述驱动芯片包括两个输出互补的脉冲信号的引脚;所述脉冲变压器的副边的同名端经由两个栅极电阻连接到MOSFET管的栅极;所述MOSFET管的源极经由两个快恢复肖特基二极管连接到脉冲变压器的副边的异名端,且该MOSFET管的栅极经由其中一个栅极电阻连接到NPN型三极管的集电极、源极直接连接到NPN型三极管的发射级。本实用新型可实现MOSFET管的快速关断,且该驱动电路的抗干扰能力强、适合工作在高频状态。 |
申请公布号 |
CN203554270U |
申请公布日期 |
2014.04.16 |
申请号 |
CN201320628498.7 |
申请日期 |
2013.10.11 |
申请人 |
苏州汇川技术有限公司 |
发明人 |
李亚辉;季步成 |
分类号 |
H02M1/08(2006.01)I |
主分类号 |
H02M1/08(2006.01)I |
代理机构 |
深圳市顺天达专利商标代理有限公司 44217 |
代理人 |
陆军 |
主权项 |
一种MOSFET驱动电路,其特征在于:包括驱动芯片、脉冲变压器、两个栅极电阻、两个快恢复肖特基二极管、NPN型三极管及MOSFET管,其中:所述驱动芯片包括两个输出互补的脉冲信号的引脚,且该两个引脚分别连接到脉冲变压器的原边的同名端和异名端;所述脉冲变压器的副边的同名端经由两个栅极电阻连接到MOSFET管的栅极;所述MOSFET管的源极经由两个快恢复肖特基二极管连接到脉冲变压器的副边的异名端,且该MOSFET管的栅极经由其中一个栅极电阻连接到NPN型三极管的集电极、源极直接连接到NPN型三极管的发射极;所述NPN型三极管的基极接于两个快恢复肖特基二极管的连接点。 |
地址 |
215000 江苏省苏州市吴中区吴中经济开发区旺山工业园友翔路北侧 |