空乏型金属氧化物半导体元件之制造方法,申请号TW099133712-传众专利搜索

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法人/股东/高管

发明名称	空乏型金属氧化物半导体元件之制造方法
摘要
申请公布号	TWI434331	申请公布日期	2014.04.11
申请号	TW099133712	申请日期	2010.10.04
申请人	立錡科技股份有限公司新竹县竹北市台元街20号5楼	发明人	黄宗义
分类号	H01L21/28;H01L21/336	主分类号	H01L21/28
代理机构		代理人	任秀妍新竹市光复路2段481号9楼
主权项
地址	新竹县竹北市台元街20号5楼

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