| 发明名称 | NOR快闪存储器的形成方法 | ||
| 摘要 | 一种NOR快闪存储器的形成方法，包括：提供衬底，所述衬底上形成有若干存储单元，所述存储单元之间通过隔离结构进行隔离，其中，每个存储单元包括相邻的两个栅极结构、位于两个栅极结构之间衬底内的源极以及分别位于两个栅极结构另一侧衬底内的漏极；去除各存储单元源极之间的隔离结构，形成若干凹槽；对所述凹槽的底部和侧壁进行第一离子注入，所述第一离子注入的方向与衬底上表面垂直；对所述凹槽的侧壁进行第二离子注入，所述第二离子注入的方向与衬底上表面的法线呈预定夹角。本发明所形成的NOR快闪存储器能够在尺寸减小时保证其具有原有的擦除功能。 | ||
| 申请公布号 | CN103715145A | 申请公布日期 | 2014.04.09 |
| 申请号 | CN201210378745.2 | 申请日期 | 2012.09.29 |
| 申请人 | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 | 发明人 | 李绍彬 |
| 分类号 | H01L21/8247(2006.01)I;H01L21/265(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/8247(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人 | 骆苏华 |
| 主权项 | 一种NOR快闪存储器的形成方法，其特征在于，包括:提供衬底，所述衬底上形成有若干存储单元，所述存储单元之间通过隔离结构进行隔离，其中，每个存储单元包括相邻的两个栅极结构、位于两个栅极结构之间衬底内的源极以及分别位于两个栅极结构另一侧衬底内的漏极；去除各存储单元源极之间的隔离结构，形成若干凹槽；对所述凹槽的底部和侧壁进行第一离子注入，所述第一离子注入的方向与衬底上表面垂直；对所述凹槽的侧壁进行第二离子注入，所述第二离子注入的方向与衬底上表面的法线呈预定夹角。 | ||
| 地址 | 201203 上海市浦东新区张江路18号 | ||