| 发明名称 | 碳化硅半导体器件及其制造方法 | ||
| 摘要 | 衬底（1）具备相对于参考面具有5°以下的偏离角的主表面（MS）。参考面在六方晶系的情况下是{000-1}面且在立方晶系的情况下是{111}面。碳化硅层外延形成在衬底的主表面（MS）上。碳化硅层具备沟槽（6），沟槽（6）具有彼此相对的第一和第二侧壁（20a，20b）。第一和第二侧壁（20a，20b）中的每一个都包括沟道区。而且，第一和第二侧壁（20a，20b）中的每一个在六方晶系的情况下基本上都包括{0-33-8}面和{01-1-4}面之一，在立方晶系的情况下基本上包括{100}面。 | ||
| 申请公布号 | CN103718298A | 申请公布日期 | 2014.04.09 |
| 申请号 | CN201280037159.X | 申请日期 | 2012.08.14 |
| 申请人 | 住友电气工业株式会社 | 发明人 | 日吉透;增田健良;和田圭司 |
| 分类号 | H01L29/12(2006.01)I;H01L21/205(2006.01)I;H01L21/302(2006.01)I;H01L21/3065(2006.01)I;H01L21/336(2006.01)I;H01L29/78(2006.01)I | 主分类号 | H01L29/12(2006.01)I |
| 代理机构 | 中原信达知识产权代理有限责任公司 11219 | 代理人 | 李兰;孙志湧 |
| 主权项 | 一种碳化硅半导体器件，包括：衬底（1），所述衬底（1）由具有六方晶系和立方晶系之一的单晶结构的碳化硅制成并具备相对于参考面具有5°以下的偏离角的主表面（MS），所述参考面在六方晶系的情况下是{000‑1}面，在立方晶系的情况下是{111}面；以及外延形成在所述衬底的所述主表面上的碳化硅层，所述碳化硅层具备沟槽（6），所述沟槽（6）具有彼此相对的第一和第二侧壁（20a，20b），所述第一和第二侧壁中的每一个都包括沟道区，所述第一和第二侧壁中的每一个在六方晶系的情况下基本上包括{0‑33‑8}面和{01‑1‑4}面之一，在立方晶系的情况下基本上包括{100}面。 | ||
| 地址 | 日本大阪府大阪市 | ||