| 发明名称 | 一种氮化镓基发光二极管及其制备方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种氮化镓基发光二极管及其制备方法，所述氮化镓基发光二极管包括X型氮化镓层和设置于X型氮化镓层上的X型电极；所述X型电极下部的X型氮化镓层上形成有电流阻隔区域；电流阻隔区域的面积小于X型电极的面积；所述X型氮化镓层为N型氮化镓层或P型氮化镓层，所述X型电极对应X型氮化镓层为N型电极或P型电极。本发明利用光刻和等离子干法刻蚀技术，使被处理表面形成高阻区域，最终实现电流分向导引的目的，使LED电极区域的无效发光被大大降低。 | ||
| 申请公布号 | CN103715339A | 申请公布日期 | 2014.04.09 |
| 申请号 | CN201310665463.5 | 申请日期 | 2013.12.10 |
| 申请人 | 西安交通大学 | 发明人 | 云峰;郭茂峰 |
| 分类号 | H01L33/48(2010.01)I;H01L33/00(2010.01)I | 主分类号 | H01L33/48(2010.01)I |
| 代理机构 | 西安通大专利代理有限责任公司 61200 | 代理人 | 徐文权 |
| 主权项 | 一种氮化镓基发光二极管，其特征在于，包括X型氮化镓层和设置于X型氮化镓层上的X型电极；所述X型电极下部的X型氮化镓层上形成有电流阻隔区域；电流阻隔区域的面积小于X型电极的面积；所述X型氮化镓层为N型氮化镓层或P型氮化镓层，所述X型电极对应X型氮化镓层为N型电极或P型电极。 | ||
| 地址 | 710049 陕西省西安市碑林区咸宁西路28号 | ||