屏蔽电子设备终止活动转变的方法及装置

摘要

一种屏蔽微处理器电子设备的终止活动转变的方法，该电子设备包括可重编程非易失性存储器，其中该可重编程非易失性存储器包括终止活动状态变量(FdVE)。基于启动(ATR)，将变量(FdVE)载入RAM中。在执行任意当前指令(COM)后，验证(B)存储于RAM中变量(FdVR)的值是否为FALSE。若回应为否定的，则执行终止活动转变(C)。否则，继续(D)初始化或执行指令(COM)。若检测(E)出侵入性攻击，通过仅对RAM中的终止活动状态变量(FdVR)写入TRUE值，以此例示终止活动状态变量，并因此推迟(G)对非易失性存储器中的变量(FdVE)写入TRUE值直到下一写入操作。本发明可应用于诸如智能卡等各种电子设备。

主权项

一种屏蔽电子设备终止活动转变的方法，其中所述电子设备包括微处理器、RAM、ROM、由控制模块控制且包括所述电子设备终止活动状态变量的可重编程非易失性存储器以及输入/输出端口，其特征在于，所述方法基于该电子设备的启动(ATR)，至少包括：·载入(A)：将终止活动状态变量(FdVE)的值从所述非易失性存储器载入RAM中；·在所述微处理器执行任意当前指令之前，验证(B)：验证存储于RAM中的所述终止活动状态变量(FdVR)的值是否为FALSE；·如果所述验证给出否定的回应，执行(C)：执行用于所述电子设备的终止活动转变操作；·否则，继续(D)：由所述电子设备的微处理器继续初始化或执行当前指令(COM)；以及，·检测(E)：以检测侵入性攻击，例示(F)：通过仅在RAM中的所述电子设备的终止活动状态变量(FdVR)写入TRUE值来实现例示，并继续初始化和/或执行当前指令；以及·推迟(G)：将TURE值推迟写入所述非易失性存储器中的终止活动状态变量(FdVE)，以便将在所述非易失性存储器中将TURE值写入终止活动状态变量(FdVE)的写入操作的执行来替代指令中下一非易失性存储器的写入操作，从而使得所述终止活动状态变量的写入可以被屏蔽。