| 发明名称 | 薄膜晶体管及其制作方法、阵列基板及其制作方法 | ||
| 摘要 | 本发明涉及显示装置的制造领域，具体涉及一种薄膜晶体管及其制作方法、包括该薄膜晶体管的阵列基板及其制作方法；该薄膜晶体管的制作方法包括以下步骤：S1形成有源层和源漏电极层，并在源漏电极层上形成光刻胶层，并通过构图工艺形成光刻胶层的图案；S2利用所述光刻胶图案作为掩模对源漏电极层进行刻蚀，形成包括源极和漏极的源漏电极层的图案；S3将光刻胶剥离后，再利用源漏电极层的图案作为掩模对有源层进行刻蚀，形成有源层的图案。本发明能够利用源漏电极层的图案作为掩模，对有源层进行刻蚀，可针对性地防止和减少薄膜晶体管有源层源漏极之间区域的有机物的污染，提高薄膜晶体管的电学性能。 | ||
| 申请公布号 | CN103715096A | 申请公布日期 | 2014.04.09 |
| 申请号 | CN201310742756.9 | 申请日期 | 2013.12.27 |
| 申请人 | 京东方科技集团股份有限公司;北京京东方显示技术有限公司 | 发明人 | 王守坤;郭会斌;冯玉春;刘晓伟;郭总杰 |
| 分类号 | H01L21/336(2006.01)I;H01L29/786(2006.01)I;H01L27/12(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/336(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京路浩知识产权代理有限公司 11002 | 代理人 | 李迪 |
| 主权项 | 一种薄膜晶体管的制作方法，其特征在于，包括以下步骤：S1形成有源层和源漏电极层，并在源漏电极层上形成光刻胶层，并通过构图工艺形成光刻胶层的图案；S2利用所述光刻胶图案作为掩模对源漏电极层进行刻蚀，形成包括源极和漏极的源漏电极层的图案；S3将光刻胶剥离后，再利用源漏电极层的图案作为掩模对有源层进行刻蚀，形成有源层的图案。 | ||
| 地址 | 100015 北京市朝阳区酒仙桥路10号 | ||