| 发明名称 | 半导体装置 | ||
| 摘要 | 本发明提供半导体装置，所述半导体装置包括：形成在衬底上的缓冲层；形成在缓冲层上的SLS(应变层超晶格)缓冲层；形成在SLS缓冲层上并且由半导体材料形成的电子渡越层；以及形成在电子渡越层上并且由半导体材料形成的电子供给层。此外，缓冲层由AlGaN形成并且包括具有不同Al组成比的两层或更多层，SLS缓冲层通过将包括AlN的第一晶格层和包括GaN的第二晶格层交替地层叠而形成，并且缓冲层中的各层中与SLS缓冲层接触的一层中的Al组成比大于或等于SLS缓冲层中的Al有效组成比。 | ||
| 申请公布号 | CN103715245A | 申请公布日期 | 2014.04.09 |
| 申请号 | CN201310329317.5 | 申请日期 | 2013.07.31 |
| 申请人 | 富士通株式会社 | 发明人 | 石黑哲郎;山田敦史;中村哲一 |
| 分类号 | H01L29/778(2006.01)I;H01L29/06(2006.01)I;H01L29/20(2006.01)I | 主分类号 | H01L29/778(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人 | 顾晋伟;全万志 |
| 主权项 | 一种半导体装置，包括：衬底；形成在所述衬底上的缓冲层；形成在所述缓冲层上的SLS(应变层超晶格)缓冲层；形成在所述SLS缓冲层上并且由半导体材料形成的电子渡越层；和形成在所述电子渡越层上并且由半导体材料形成的电子供给层；其中所述缓冲层由AlGaN形成并且包括具有不同Al组成比的两层或更多层，其中所述SLS缓冲层通过交替地层叠包含AlN的第一晶格层和包含GaN的第二晶格层来形成，以及其中所述缓冲层中的各层中与所述SLS缓冲层接触的一层的Al组成比大于或等于所述SLS缓冲层的Al有效组成比。 | ||
| 地址 | 日本神奈川县 | ||