芯片上的大倾角氧化硅微盘谐振腔及其制备方法

摘要

本发明公开了一种芯片上的大倾角氧化硅微盘谐振腔，包括氧化硅微盘和硅柱，氧化硅微盘通过硅柱支撑在基片上，氧化硅微盘的侧面为斜面，斜面与氧化硅微盘底面的夹角为45º~90º。本发明的芯片上的氧化硅微盘谐振腔侧壁倾角大，易于实现耦合。本发明还公开了芯片上的大倾角氧化硅微盘谐振腔的制备方法，利用本方法制备出的片上氧化硅微盘谐振腔品质因子高，且侧壁倾角大，易于实现耦合；制备流程与传统的集成电路工艺相兼容，具有操作简单、可重复性强和易于集成等优点。

主权项

一种芯片上的大倾角氧化硅微盘谐振腔，包括氧化硅微盘（1）和硅柱（3），所述氧化硅微盘（1）通过所述硅柱（3）支撑在基片上，所述氧化硅微盘（1）的侧面为斜面（2），其特征在于，所述斜面（2）与所述氧化硅微盘（1）底面的夹角为45º~90º。